NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Whakaahuatanga Hua
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Kāwai o te hua: | MOSFET |
| RoHS: | Taipitopito |
| Hangarau: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Polaridad del transistor: | R-Hongere |
| Nga rarangi waka: | 2 Hongere |
| Vds - Te raruraru e raruraru ana i nga mahi: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.6 Ohm |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 pC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp - Dispación de potencia : | 250 mW |
| Te awa o Modo: | Whakanuia |
| Empaquetado: | Hurorirori kau |
| Empaquetado: | Tapahia te Ripene |
| Empaquetado: | KioreReel |
| Marca: | onsemi |
| Whirihoranga: | Takirua |
| Tiempo de caída: | 32 ns |
| Te teitei: | 0.9 mm |
| ahopou: | 2 mm |
| Te momo hua: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| raupapa: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Kāwairoto: | Nga MOSFET |
| Te momo o te transistor: | 2-N-Hongere |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
| Ancho: | 1.25 mm |
| Peso de la unidad: | 0.000212 oz |
• RDS iti(kei)
• Paepae Keeti iti
• Te Puatanga Whakauru Iti
• ESD Parea te kuwaha
• NVJD Prefix mo Automotive me etahi atu tono e hiahia ana ki te waahi ahurei me nga whakaritenga Huri Mana; AEC−Q101 Tohu me te PPAP Taea
• He Pūrere Pb−Free tenei
•Whakawhiti Uta Taha Iti
• Kaihurihuri DC−DC (Pae me te Whakanui Iahiko)
